博尔芯
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产品
GaN IC
新品
PXM120HBR003
量产
100-V、3-mΩ 典型导通电阻 GaN 半桥功率级,集成栅极驱动和两颗增强型 GaN FET
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数据手册
PXM120HBR003_V1.0 PDF
产品详情
封装 | 引脚 | 尺寸
特性
应用
QFN
17
5.5 mm x 4.5 mm
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特性
应用
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