赋能激光感知与高效电源

100-V、3-mΩ 典型导通电阻 GaN 半桥功率级，集成栅极驱动和两颗增强型 GaN FET

100-V、1.9-mΩ 典型导通电阻增强型 GaN 功率晶体管

集成 LDO 的单通道低侧 GaN/MOSFET 栅极驱动器，7-A/5-A 驱动能力

80-V 增强型 GaN 功率晶体管，RDS(on) 典型 8 mΩ、最大 11 mΩ

40-V、20-A 超窄输入脉宽激光驱动芯片

65-V 十二通道高侧可寻址双向开关，支持译码、SPI 与直接通道控制